I et forsøg på at hjælpe med at skabe hurtigere, bedre og billigere lyskilder til chips, UC San Diego forskere, i samarbejde med Cymer, Inc., er ved at udvikle laser-producerede lyskilder til næste generation Extreme Ultraviolet litografi (EUVL). Forskerne, ledet af mekanisk og rumfart ingeniør videnskabsmand Mark Tillack, indgav et patent maj 2008 til deres seneste opdagelse indikerer at længere pulslængder kan give lignende præstation som korte puls længder.
Tillack og hans team fandt, at ansætte en lang puls i et CO2-laser, der anvendes i en EUVL kilde kunne gøre systemet betydeligt mere effektiv, enklere og billigere i forhold til at bruge en kortere puls. Deres forskningsresultater blev offentliggjort for nylig i Applied Physics Letters. Dagens halvleder virksomheder er flittigt arbejder på at udvikle EUVL som den førende kandidat til næste generation litografi værktøjer til at producere mikrochips med træk af 32 nanometer eller mindre.
Selv om der er gjort store fremskridt på dette område, en række udfordringer stadig eksisterer til at koste effektivt feltet EUVL i høj volumen produktion. I dag er lyskilden i halvlederlitografi påføres direkte fra en laser gennem en maske til en wafer. I EUVL, er en laser anvendes til at fremstille ekstremt ultraviolet lys, der sendes til en maske og derefter waferen. Denne indirekte metode er mere ineffektivt og kan kræve en meget stor og meget dyre laserkilde, sagde Tillack.
CO2 lasere, som vi bruger i vores laboratorium, har to fordele, de er i sagens natur billigere at bygge og drive, og de giver en bedre virkningsgrad fra laseren til EUV lys, (https://www.china-computer-accessories.com/buy-light% 252C /), sagde han. Vores opdagelse, at lange pulser fungerer godt nok betyder, at CO2-laser systemet kan bygges og drives billigere. Tillack pegede på mulige fremtidige applikationer til EUVL, såsom flash memory chips, som vil blive tættere og tættere.
Forestil dig i fremti